ЭЦД2 - Полупроводниковый безынерционный элемент

Назначение

Блок используется для моделирования типовых полупроводниковых элементов с идеализированными характеристиками.

Описание

В блоке реализованы спрямленные статические вольтамперные характеристики (ВАХ) полупроводниковых элементов: диода, тиристора, IGBT транзистора и IGBT транзистора с параллельно включенным обратным диодом. Выбор ВАХ осуществляется заданием соответствующего значения свойства «Вид ВАХ», при этом изменяется и графическое представление блока. Изображения блока для соответствующих ВАХ представлен на рисунке 1.

Рисунок 1 – Варианты графического представления блока

Общая структура модели полупроводникового элемента представлена на рисунке 2.

Рисунок 2 – Структура модели:

U₁₂ – значение напряжения на элементе; С – значение управляющего сигнала; R – динамическое сопротивление элемента; U_f –падение напряжения в прямом направлении, В.

Реализуемые ВАХ полупроводниковых элементов определяются выражениями:

для диода:

R = R_on (сопротивление в прямом направлении), если u₁₂ ≥ u_f;

R = ∞ (сопротивление в обратном направлении), если u₁₂ < u_f;

для тиристора:

R = R_on, если u₁₂ ≥ u_f и С > 0 (импульс);

R = ∞, если u₁₂ < u_f;

для транзистора IGBT:

R = R_on, если u₁₂ ≥ u_f и С > 0;

R = ∞, если u₁₂ < u_f или С < 0.

для IGBT транзистора с обратно включенным диодом блок управления реализует совмещенную ВАХ IGBT транзистора и диода, включенного параллельно транзистору в обратном направлении.

В зависимости от свойства «Вид снаббера» параллельно полупроводниковому элементу включена R-цепь или RC-цепь.

За положительное направление тока принято направление от порта «1» к порту «2».

Свойства

Параметры

Порты

Примеры