ЭЦД – Транзистор IGBT (n-channel) (инерционный, MOSFET + BJT)

в палитре на схеме

Блок реализует модель силового биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). Используется в цепях c элементами библиотеки ЭЦ - Динамика (ЭЦД) 2.0.

Модель биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ) включает в себя:
  • полевой n-канальный транзистор (MOSFET);
  • биполярный транзистор с p-n-p структурой (BJT);
  • сопротивление эмиттера RER.
Структурная схема модели представлена на рисунке (Рис. 1).


Рис. 1. Структурная схема модели БТИЗ
Модели блоков MOSFET и BJT соответствуют блокам:В DC режиме не учитываются инерционные свойства транзистора.

За положительное направление тока эмиттера принято направление от порта "1" к порту "3".

Порты

  • 1 – порт электрической связи (коллектор С);
  • 2 – порт электрической связи (затвор G);
  • 3 – порт электрической связи (эмиттер E).

Свойства

  • Тип;
  • Общее сопротивление в цепи эмиттера, Ом ;
  • Номинальная температура, °С;
  • Температура, °С;
  • Имя на схеме;
  • DC режим.
Свойства MOSFET:
  • Пороговое напряжение, В (VTO);
  • Параметр модуляции длины канала (LAMBDA);
  • Коэффициент пропорциональности (BETA);
  • Сопротивление истока, Ом (RS);
  • Сопротивление стока, Ом (RD);
  • Сопротивление затвора, Ом (RG);
  • Сопротивление утечки сток-исток, Ом (RDS);
  • Поверхностный потенциал сильной инверсии, В (PHI);
  • Ширина запрещенной зоны, эВ (EG);
  • Коэффициенты температурной зависимости EG, [TEG1, TEG2];
  • Температурный экспоненциальный коэффициент для BETA (BEX);
  • Температурный коэффициент порогового напряжения, 1/°С (TCV);
  • Модель емкостей;
  • Напряжение сток-исток [Uds], В;
  • Входная ёмкость [Cies], Ф;
  • Выходная ёмкость [Coes], Ф;
  • Обратная переходная ёмкость [Cres], Ф;
  • Ёмкость оксидного слоя затвора, Ф (Cap).
Свойства BJT:
  • Ток насыщения, А (IS);
  • Коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (BF);
  • Коэффициент эмиссии для нормального режима (NF);
  • Напряжение Эрли в нормальном режиме, В (VAF);
  • Ток начала спада зависимости BF от тока коллектора в нормальном режиме, А (IKF);
  • Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер, А (ISE);
  • Коэффициент эмиссии тока утечки перехода база-эмиттер (NE);
  • Коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ (BR);
  • Коэффициент эмиссии для инверсного режима (NR);
  • Напряжение Эрли в инверсном режиме, В (VAR);
  • Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме, А (IKR);
  • Ток насыщения утечки перехода база-коллектор, А (ISC);
  • Коэффициент эмиссии тока утечки перехода база-коллектор (NC);
  • Сопротивление коллектора, Ом (RC);
  • Сопротивление эмиттера, Ом (RE);
  • Сопротивление базы (максимальное), Ом (RB);
  • Минимальное сопротивление базы при больших токах, Ом (RBM);
  • Ток базы, при котором RB уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM, А (IRB);
  • Время переноса заряда через базу в активном режиме, сек (TF);
  • Ток, характеризующий зависимость TF от тока коллектора при больших токах, А (ITF);
  • Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор, В (VTF);
  • Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор (XTF);
  • Время переноса заряда через базу в инверсном режиме, сек (TR);
  • Емкость коллекторного перехода, Ф (CJC);
  • Коэффициент плавности коллекторного перехода (MJC);
  • Контактная разность потенциалов коллекторного перехода, В (VJC);
  • Емкость эмиттерного перехода, Ф (CJE);
  • Коэффициент плавности эмиттерного перехода (MJE);
  • Контактная разность потенциалов эмиттерного перехода, В (VJE);
  • Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещённых переходов (FC);
  • Ширина запрещенной зоны, эВ (EG);
  • Коэффициенты температурной зависимости EG, [TEG1, TEG2];
  • Температурный коэффициент коэффициентов усиления BF и BR, 1/°С (XTB);
  • Температурный экспоненциальный коэффициент тока насыщения IS (XTI);
  • Сопротивление утечки перехода, Ом, В;
  • Ток начала линейности ВАХ, А.

Параметры

  • Ток эмиттера, А.