Блок реализует модель силового (выпрямительного) диода. Используется в цепях c элементами
библиотеки ЭЦ - Динамика (ЭЦД)
2.0.
В зависимости от свойства "вид ВАХ" в блоке реализуется либо кусочно-линейная вольт-амперная
характеристика (ВАХ) при этом температурные зависимости параметров диода не учитываются. Либо
реализуется экспоненциальная вольт-амперная характеристика - spice модель диода.
Для кусочно-линейной ВАХ задаются динамические сопротивления обратного участка ВАХ
Rz и прямого Rd. on в виде
вектора:[Rz, Rd. on]. И начальные напряжения
обратного участка Ubr0 (отрицательное значение) и прямого
Uf0 в виде вектора [Ubr0,
Uf0]. Вид кусочно-линейной ВАХ показан на рисунке (Рис. 1).
Рис. 1. Кусочно-линейная ВАХДля экспоненциальной ВАХ используется spice модель диода, схема замещения которого
представлена на рисунке (Рис. 2) (обозначения
элементов и переменных приведены в свойствах блока).
Рис. 2. Схема замещения силового диодаТок диода в зависимости от напряжения определяется как:
если U > BVe, то
иначе
где:
если IBV >
Ibr, то:
иначе
при этом
Суммарная ёмкость
складывается из диффузионной и барьерной ёмкости: С = CT + CJ
Диффузионная ёмкость определяется как: CT = TT/Rd, где
Rd - дифференциальное сопротивление диода на постоянном токе.
Барьерная ёмкость в зависимости от напряжения определяется как:
если V ≤ FC⋅VJ(T), то
иначе
В модели учитывается зависимость параметров диода от
температуры T (в приведенных ниже уравнениях используется температура в К):
В свойствах можно задать "ток начала линейности ВАХ", при превышении которого
вольт-амперная характеристика диода принимается линейной с динамическим сопротивлением,
определенным для этого тока.
В DC режиме не учитываются инерционные свойства диода.
За положительное направление тока принято направление от порта "1" к порту "2".
Порты
1 – порт электрической связи;
2 – порт электрической связи.
Свойства
Тип;
Вид ВАХ ("Кусочно-линейная"/"Экспоненциальная");
Сопротивление [Rz, Rdon], Ом (только для кусочно-линейной ВАХ);
Напряжение [Ubr0, Uf0], В (только для кусочно-линейной ВАХ);
Сопротивление утечки перехода, Ом;
Последовательное сопротивление, Ом;
Ток насыщения, А;
Коэффициент эмиссии;
Время переноса заряда, с;
Барьерная ёмкость при нулевом смещении, Ф;
Контактная разность потенциалов, В;
Коэффициент плавности перехода;
Коэффициент нелинейности барьерной ёмкости;
Ширина запрещенной зоны, эВ;
Коэффициенты температурной зависимости EG, [TEG1, TEG2];