ЭЦД – Полупроводниковый безынерционный элемент

в палитре	на схеме

Блок реализует модели элементов с вольт-амперными характеристиками типовых полупроводниковых элементов. Используется в цепях c элементами библиотеки ЭЦ - Динамика (ЭЦД) 2.0.

В блоке реализованы спрямленные статические вольт-амперные характеристики (ВАХ) полупроводниковых элементов: диода, тиристора, IGBT транзистора и IGBT транзистора с параллельно включенным обратным диодом. Выбор ВАХ осуществляется заданием соответствующего значения свойства "Вид ВАХ", при этом изменяется и графическое представление блока. Изображения блока для соответствующих ВАХ представлен на рисунке (Рис. 1).

Общая структура модели полупроводникового элемента представлена на рисунке (Рис. 2).

u_ak– значение напряжения на элементе; C – значение управляющего сигнала; R – сопротивление элемента; U_f – заданное в свойствах блока падение напряжения в прямом направлении, В.

Реализуемые ВАХ полупроводниковых элементов определяются выражениями:

для диода:

R = R_on (сопротивление в прямом направлении), если u_ak ≥ u_f;

R = ∞ (сопротивление в обратном направлении), если u_ak <u_f;

для тиристора:

R = R_on, если u_ak ≥ u_f и У > 0;

R = ∞, если u_ak <u_f;

для транзистора IGBT:

R = R_on, если u_ak ≥ u_f и У > 0;

R = ∞, если u_ak <u_f или У < 0.

для IGBT транзистора с обратно включенным диодом блок управления реализует совмещенную ВАХ IGBT транзистора и диода, включенного параллельно транзистору в обратном направлении.

В зависимости от свойства "Вид снаббера" параллельно полупроводниковому элементу включена R-цепь или RC-цепь.

За положительное направление тока элемента (ток определяется с учетом снаббера) принято направление от порта "1" к порту "2".