ЭЦД2 - Фотоэлемент полупроводниковый
![]() |
![]() |
|
| в палитре | на схеме |
Назначение
Блок используется для моделирования полупроводникового фотоэлемента (солнечного элемента).
Описание
Модель построена в соответствии со схемой замещения, приведенной на рисунке 1.

- Ipv – фототок, протекающий через переход
- Rs – последовательное сопротивление
- Rsh – параллельное сопротивление
- U – напряжение солнечного элемента
- I – ток солнечного элемента
- Isc – ток короткого замыкания
- Pmp – максимальная мощность
- Imp – ток при максимальной мощности
- Ump – напряжение при максимальной мощности
- Uoc – напряжение холостого хода
Данная схема замещения соответствует следующему уравнению:
- параметр N – коэффициент, учитывающий разницу, полученную при сравнении теоретической и экспериментальной вольт-амперной характеристиками
- Is – ток насыщения
- – тепловой потенциал
- k – постоянная Больцмана
- TK – абсолютная температура
- q – заряд электрона
Параметры схемы замещения солнечного элемента задаются в свойствах блока из расчета на один элемент.
Также предусмотрена возможность расчета параметров схемы замещения по данным производителя. Для этого необходимо переместить курсор в поле «Значение» свойства «Рассчитать параметры схемы замещения» и нажать появившуюся кнопку. Для записи рассчитанных значений в свойства модели необходимо нажать кнопку свойства «Записать расчетные параметры в свойства».
Параметры модели вычисляются на основе данных производителя для режима холостого хода, максимальной мощности и короткого замыкания:
- β – коэффициент
- Vtr – тепловой потенциал при номинальной температуре
- TrK – абсолютная номинальная температура
Значением последовательного сопротивления в данной методике расчета параметров пренебрегается, и оно задается равным 106 Ом.
Влияние температуры и освещенности на параметры уравнения учитывается следующим образом:
- для Si
- для GaAs
где: G – относительная освещенность, о.е.; aIsc – температурный коэффициент тока короткого замыкания; Eg – ширина запрещенной зоны; XTI – температурный коэффициент тока насыщения; TRS и TRSH – температурные коэффициенты последовательного и параллельного сопротивлений соответственно.
За положительное направление тока принято направление от порта «0» к порту «1».
Свойства
| Название | Имя | Описание (опционально) |
|---|---|---|
| Тип | Type | Текстовое описание, удобное для работы с каталогом оборудования. Рекомендуется указывать марку солнечного элемента (батареи) и при необходимости дополнительную информацию, например напряжение, ток. |
| Число последовательно соединенных элементов | NS | |
| Максимальная мощность (Pmax), Вт | Pmp | Задается для одного элемента |
| Ток при Pmax, А | Imp0 | Задается для одного элемента |
| Напряжение при Pmax, В | Vmp0 | Задается для одного элемента |
| Ток короткого замыкания, А | Isc0 | Задается для одного элемента |
| Напряжение холостого хода, В | Voc0 | Задается для одного элемента |
| Задать свои параметры схемы замещения | UserSet | Значения: Да/Нет. Если задано «Да», то можно внести свои параметры схемы замещения |
| Ток насыщения, А | IS | Рассчитывается или задается для одного элемента |
| Коэффициент эмиссии | N | Рассчитывается или задается для одного элемента |
| Последовательное сопротивление, Ом | RS | Рассчитывается или задается для одного элемента |
| Параллельное сопротивление, Ом | RSH | Рассчитывается или задается для одного элемента |
| Номинальная температура, °C | Tr | |
| Температура, °С | T | |
| Температурный коэффициент тока короткого замыкания, %/K | aIsc | Изменение тока в процентах к изменению температуры на 1 градус. |
| Температурный коэффициент тока насыщения | XTI | |
| Материал | Engap | Значения:
|
| Температурный коэффициент последовательного сопротивления | TRS | |
| Температурный коэффициент параллельного сопротивления | TRSH |
Параметры
| Название | Имя | Описание (опционально) |
|---|---|---|
| Напряжение, В | U_par | |
| Ток, А | I_par | |
| Мощность, Вт | P_par |
Порты
| Имя | Описание | Тип линии связи |
|---|---|---|
| Входные порты | ||
| G | Задание относительной освещённости |
Математическая |
| Выходные порты | ||
| Блок не имеет выходных портов. | ||
| Ненаправленные порты | ||
| 1 | Порт для подключения блока к электрической цепи. Положительный вывод элемента |
Электрическая |
| 0 | Порт для подключения блока к электрической цепи. Отрицательный вывод элемента |
Электрическая |
Примеры
- Demo\Электрика\ЭЦ-Динамика v 2\Полупроводниковые приборы\Фотоэлемент\Фотоэлемент полупроводниковый.prt

