ЭЦД – Полупроводниковый безынерционный элемент





 
в палитре на схеме

Блок реализует модели элементов с вольтамперными характеристиками типовых полупроводниковых элементов. Используется в цепях c элементами библиотеки ЭЦ - Динамика (ЭЦД) 2.0.

В блоке реализованы спрямленные статические вольтамперные характеристики (ВАХ) полупроводниковых элементов: диода, тиристора, IGBT транзистора и IGBT транзистора с параллельно включенным обратным диодом. Выбор ВАХ осуществляется заданием соответствующего значения свойства «Вид ВАХ», при этом изменяется и графическое представление блока. Изображения блока для соответствующих ВАХ представлен на рисунке (Рисунок 1).

Рисунок: Варианты графического представления блока



Общая структура модели полупроводникового элемента представлена на рисунке (Рисунок 2).

Рисунок: Структура модели



uak– значение напряжения на элементе; C – значение управляющего сигнала; R – сопротивление элемента; Uf – заданное в свойствах блока падение напряжения в прямом направлении, В.

Реализуемые ВАХ полупроводниковых элементов определяются выражениями:

для диода:

R = Ron (сопротивление в прямом направлении), если uakuf;

R = (сопротивление в обратном направлении), если uak <uf;

для тиристора:

R = Ron, если uakuf и У > 0;

R = , если uak <uf;

для транзистора IGBT:

R = Ron, если uakuf и У > 0;

R = , если uak <uf или У < 0.

для IGBT транзистора с обратно включенным диодом блок управления реализует совмещенную ВАХ IGBT транзистора и диода, включенного параллельно транзистору в обратном направлении.

В зависимости от свойства «Вид снаббера» параллельно полупроводниковому элементу включена R-цепь или RC-цепь.

За положительное направление тока элемента (ток определяется с учетом снаббера) принято направление от порта «1» к порту «2».

Порты

  • 1 – порт электрической связи;
  • 2 – порт электрической связи;
  • С – порт математической связи управления состоянием элемента.

Свойства:

  • Вид ВАХ;
  • Сопротивление в прямом направлении, Ом;
  • Падение напряжения в прямом направлении, В;
  • Сопротивление обратно включенного диода в прямом направлении, Ом (для элемента с IGBT транзистором с обратным диодом);
  • Падение напряжения обратно включенного диода в прямом направлении, В (для элемента с IGBT транзистором с обратным диодом);
  • Вид снаббера;
  • Сопротивление снаббера, Ом;
  • Ёмкость снаббера, Ф;
  • Имя на схеме.

Параметры

  • Ток, А.