ЭЦД – Транзистор IGBT (n-channel) (инерционный, MOSFET + BJT)


`в палитре`	`на схеме`

Блок реализует модель силового биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). Используется в цепях c элементами библиотеки ../../DIR_ecd2.0.html#topic_x5n_gv5_qf.

Модель биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ) включает в себя:

полевой n-канальный транзистор (MOSFET);
биполярный транзистор с p-n-p структурой (BJT);
сопротивление эмиттера RER.

Структурная схема модели представлена на рисунке (Рисунок 1).

Рисунок 1. Структурная схема модели БТИЗ

Модели блоков MOSFET и BJT соответствуют блокам:

В DC режиме не учитываются инерционные свойства транзистора.

За положительное направление тока эмиттера принято направление от порта «1» к порту «3».

Порты

1 – порт электрической связи (коллектор С);
2 – порт электрической связи (затвор G);
3 – порт электрической связи (эмиттер E).

Свойства

Тип;
Общее сопротивление в цепи эмиттера, Ом ;
Номинальная температура, °С;
Температура, °С;
Имя на схеме;
DC режим.

Свойства MOSFET:

Пороговое напряжение, В (VTO);
Параметр модуляции длины канала (LAMBDA);
Коэффициент пропорциональности (BETA);
Сопротивление истока, Ом (RS);
Сопротивление стока, Ом (RD);
Сопротивление затвора, Ом (RG);
Сопротивление утечки сток-исток, Ом (RDS);
Поверхностный потенциал сильной инверсии, В (PHI);
Ширина запрещенной зоны, эВ (EG);
Коэффициенты температурной зависимости EG, [TEG1, TEG2];
Температурный экспоненциальный коэффициент для BETA (BEX);
Температурный коэффициент порогового напряжения, 1/°С (TCV);
Модель емкостей;
Напряжение сток-исток [Uds], В;
Входная ёмкость [Cies], Ф;
Выходная ёмкость [Coes], Ф;
Обратная переходная ёмкость [Cres], Ф;
Ёмкость оксидного слоя затвора, Ф (Cap).

Свойства BJT:

Ток насыщения, А (IS);
Коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (BF);
Коэффициент эмиссии для нормального режима (NF);
Напряжение Эрли в нормальном режиме, В (VAF);
Ток начала спада зависимости BF от тока коллектора в нормальном режиме, А (IKF);
Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер, А (ISE);
Коэффициент эмиссии тока утечки перехода база-эмиттер (NE);
Коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ (BR);
Коэффициент эмиссии для инверсного режима (NR);
Напряжение Эрли в инверсном режиме, В (VAR);
Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме, А (IKR);
Ток насыщения утечки перехода база-коллектор, А (ISC);
Коэффициент эмиссии тока утечки перехода база-коллектор (NC);
Сопротивление коллектора, Ом (RC);
Сопротивление эмиттера, Ом (RE);
Сопротивление базы (максимальное), Ом (RB);
Минимальное сопротивление базы при больших токах, Ом (RBM);
Ток базы, при котором RB уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM, А (IRB);
Время переноса заряда через базу в активном режиме, сек (TF);
Ток, характеризующий зависимость TF от тока коллектора при больших токах, А (ITF);
Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор, В (VTF);
Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор (XTF);
Время переноса заряда через базу в инверсном режиме, сек (TR);
Емкость коллекторного перехода, Ф (CJC);
Коэффициент плавности коллекторного перехода (MJC);
Контактная разность потенциалов коллекторного перехода, В (VJC);
Емкость эмиттерного перехода, Ф (CJE);
Коэффициент плавности эмиттерного перехода (MJE);
Контактная разность потенциалов эмиттерного перехода, В (VJE);
Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещённых переходов (FC);
Ширина запрещенной зоны, эВ (EG);
Коэффициенты температурной зависимости EG, [TEG1, TEG2];
Температурный коэффициент коэффициентов усиления BF и BR, 1/°С (XTB);
Температурный экспоненциальный коэффициент тока насыщения IS (XTI);
Сопротивление утечки перехода, Ом, В;
Ток начала линейности ВАХ, А.

Параметры

Ток эмиттера, А.