Блок реализует модели элементов с вольтамперными характеристиками типовых полупроводниковых
элементов. Используется в цепях c элементами библиотеки ЭЦ - Динамика (ЭЦД) 2.0.
В блоке реализованы спрямленные статические вольтамперные характеристики (ВАХ)
полупроводниковых элементов: диода, тиристора, IGBT транзистора и IGBT транзистора с
параллельно включенным обратным диодом. Выбор ВАХ осуществляется заданием соответствующего
значения свойства «Вид ВАХ», при этом изменяется и графическое представление блока.
Изображения блока для соответствующих ВАХ представлен на рисунке (
Рисунок 1).
Рисунок 1. Варианты графического представления блока
Общая структура модели полупроводникового элемента представлена на рисунке (
Рисунок 2).
Рисунок 2. Структура модели
uak– значение напряжения на элементе;
C – значение управляющего
сигнала;
R – сопротивление элемента;
Uf – заданное в свойствах блока
падение напряжения в прямом направлении, В.
Реализуемые ВАХ полупроводниковых элементов определяются выражениями:
для диода:
R = Ron (сопротивление в прямом направлении), если
uak ≥ uf;
R = ∞ (сопротивление в обратном направлении), если uak
<uf;
для тиристора:
R = Ron, если uak ≥ uf и У >
0;
R = ∞, если uak <uf;
для транзистора IGBT:
R = Ron, если uak ≥ uf и У >
0;
R = ∞, если uak <uf или У < 0.
для IGBT транзистора с обратно включенным диодом блок управления реализует совмещенную ВАХ
IGBT транзистора и диода, включенного параллельно транзистору в обратном направлении.
В зависимости от свойства «Вид снаббера» параллельно полупроводниковому элементу включена
R-цепь или RC-цепь.
За положительное направление тока элемента (ток определяется с учетом снаббера) принято
направление от порта «1» к порту «2».
Порты
- 1 – порт электрической связи;
- 2 – порт электрической связи;
- С – порт математической связи управления состоянием
элемента.
Свойства:
- Вид ВАХ;
- Сопротивление в прямом направлении, Ом;
- Падение напряжения в прямом направлении, В;
- Сопротивление обратно включенного диода в прямом направлении, Ом (для
элемента с IGBT транзистором с обратным диодом);
- Падение напряжения обратно включенного диода в прямом направлении, В (для
элемента с IGBT транзистором с обратным диодом);
- Вид снаббера;
- Сопротивление снаббера, Ом;
- Ёмкость снаббера, Ф;
- Имя на схеме.