ЭЦД - Полупроводниковый безынерционный элемент

 
в палитре на схеме

Блок реализует модели элементов с вольтамперными характеристиками типовых полупроводниковых элементов. Используется в цепях c элементами библиотеки ЭЦ - Динамика (ЭЦД) v2.0.

В блоке реализованы спрямленные статические вольтамперные характеристики (ВАХ) полупроводниковых элементов: диода, тиристора, IGBT транзистора и IGBT транзистора с параллельно включенным обратным диодом. Выбор ВАХ осуществляется заданием соответствующего значения свойства «Вид ВАХ», при этом изменяется и графическое представление блока. Изображения блока для соответствующих ВАХ представлен на рисунке (Рисунок 1).

Рисунок 1. Варианты графического представления блока

Общая структура модели полупроводникового элемента представлена на рисунке (Рисунок 2).

Рисунок 2. Структура модели

uak– значение напряжения на элементе; C – значение управляющего сигнала; R – сопротивление элемента; Uf – заданное в свойствах блока падение напряжения в прямом направлении, В.

Реализуемые ВАХ полупроводниковых элементов определяются выражениями:

для диода:

R = Ron (сопротивление в прямом направлении), если uakuf;

R = (сопротивление в обратном направлении), если uak <uf;

для тиристора:

R = Ron, если uakuf и У > 0;

R = , если uak <uf;

для транзистора IGBT:

R = Ron, если uakuf и У > 0;

R = , если uak <uf или У < 0.

для IGBT транзистора с обратно включенным диодом блок управления реализует совмещенную ВАХ IGBT транзистора и диода, включенного параллельно транзистору в обратном направлении.

В зависимости от свойства «Вид снаббера» параллельно полупроводниковому элементу включена R-цепь или RC-цепь.

За положительное направление тока элемента (ток определяется с учетом снаббера) принято направление от порта «1» к порту «2».

Порты

  • 1 – порт электрической связи;
  • 2 – порт электрической связи;
  • С – порт математической связи управления состоянием элемента.

Свойства:

  • Вид ВАХ;
  • Сопротивление в прямом направлении, Ом;
  • Падение напряжения в прямом направлении, В;
  • Сопротивление обратно включенного диода в прямом направлении, Ом (для элемента с IGBT транзистором с обратным диодом);
  • Падение напряжения обратно включенного диода в прямом направлении, В (для элемента с IGBT транзистором с обратным диодом);
  • Вид снаббера;
  • Сопротивление снаббера, Ом;
  • Ёмкость снаббера, Ф;
  • Имя на схеме.

Параметры

  • Ток, А.