 |
 |
|
| в палитре | на схеме |
Блок реализует модель биполярного транзистора c изолированным затвором (IGBT). Используется в цепях c элементами библиотеки ЭЦ-Динамика. Используется упрощенная модель транзистора со спрямленной вольтамперной характеристикой, структура которой представлена на рисунке 1. Данная модель пригодна для расчетов в схемах силовой электроники, в которых напряжение питания существенно превышает падение напряжения на полупроводниковых коммутационных элементах.
Рисунок 1. Структура модели транзистора: uak, iak – значения напряжения и тока транзистора; R – сопротивление транзистора; Uf– заданное в свойствах блока падение напряжения в прямом направлении, В.
Блок управления реализует следующий алгоритм управления:
R = Ron (сопротивление в прямом направлении),
если uak > uf и управляющий сигнал на затворе З > 0;
R = ∞ (сопротивление в обратном направлении),
если iak ≤ 0 или З < 0.
В зависимости от свойства «Вид снаббера» параллельно транзистору может быть включена R-цепь или RC-цепь.
Входы
-
К;
-
Э;
-
З.
Выходы
нет
Свойства:
- Сопротивление в прямом направлении, Ом;
- Падение напряжения в прямом направлении, В;
- Вид снаббера (без снаббера/R-снаббер/RC-снаббер);
- Сопротивление снаббера, Ом;
- Ёмкость снаббера, Ф.
Параметры
нет