ЭЦД - Транзистор IGBT

 
в палитре на схеме

Блок реализует модель биполярного транзистора c изолированным затвором (IGBT). Используется в цепях c элементами библиотеки ЭЦ-Динамика. Используется упрощенная модель транзистора со спрямленной вольтамперной характеристикой, структура которой представлена на рисунке 1. Данная модель пригодна для расчетов в схемах силовой электроники, в которых напряжение питания существенно превышает падение напряжения на полупроводниковых коммутационных элементах.

Рисунок 1. Структура модели транзистора: uak, iak – значения напряжения и тока транзистора; R – сопротивление транзистора; Uf– заданное в свойствах блока падение напряжения в прямом направлении, В.

Блок управления реализует следующий алгоритм управления:

R = Ron (сопротивление в прямом направлении),

если uak > uf и управляющий сигнал на затворе З > 0;

R = (сопротивление в обратном направлении),

если iak ≤ 0 или З < 0.

В зависимости от свойства «Вид снаббера» параллельно транзистору может быть включена R-цепь или RC-цепь.

Входы

  • К;

  • Э;

  • З.

Выходы

нет

Свойства:

  • Сопротивление в прямом направлении, Ом;
  • Падение напряжения в прямом направлении, В;
  • Вид снаббера (без снаббера/R-снаббер/RC-снаббер);
  • Сопротивление снаббера, Ом;
  • Ёмкость снаббера, Ф.

Параметры

нет

Связанные страницы